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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
25
39
Velocità di lettura, GB/s
11.7
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1922
2614
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB Confronto tra le RAM
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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