RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
25
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1922
2614
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link