RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
55
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2665
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G6400LLK 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link