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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
55
Por volta de 9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
10.9
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
55
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
14.6
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2665
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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