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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Compara
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
55
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
55
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2512
2665
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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