RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3224
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link