RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
2771
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link