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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
39
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
11.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
39
Velocidade de leitura, GB/s
18.5
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.8
11.3
Largura de banda de memória, mbps
25600
25600
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3341
2771
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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