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Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
11.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
66
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
1,167.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
5300
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR3
Latenza in PassMark, ns
66
43
Velocità di lettura, GB/s
2,885.7
11.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,167.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
12800
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
284
1823
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB Confronto tra le RAM
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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