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Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Confronto
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
649.8
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
69
Intorno -38% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
50
Velocità di lettura, GB/s
2,050.0
10.2
Velocità di scrittura, GB/s
649.8
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
274
2248
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
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