RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
43
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
2,160.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
40
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
2204
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link