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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1851
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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