RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Confronto
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
1,892.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
6,181.5
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,892.9
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
851
3890
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link