RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Confronto
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
56
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.2
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.4
2,475.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8800
Intorno 2.18 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
41
Velocità di lettura, GB/s
4,878.3
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,475.5
5.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8800
19200
Other
Descrizione
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
598
1704
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Confronto tra le RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link