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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Confronto
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
25
Velocità di lettura, GB/s
13.0
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2268
2427
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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