RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
39
Velocità di lettura, GB/s
13.0
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2268
2264
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link