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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
57
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
24
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2508
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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