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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
57
Intorno -68% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
34
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
3193
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
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