RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
57
Intorno -171% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.6
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
21
Velocità di lettura, GB/s
6.8
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
19.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
4293
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link