RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
57
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
32
Velocità di lettura, GB/s
6.8
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2952
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link