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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
55
57
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.3
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
55
Velocità di lettura, GB/s
6.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2078
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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