RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2418
2731
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link