RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2418
2731
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link