RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Confronto
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
24
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
10.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
24
Velocità di lettura, GB/s
17.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2926
2731
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link