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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
33
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
33
Velocità di lettura, GB/s
17.7
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2926
3035
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
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