RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
66
Intorno 64% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
66
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2222
1877
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link