RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Confronto
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
34
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
34
Velocità di lettura, GB/s
14.2
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2222
2665
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Segnala un bug
×
Bug description
Source link