RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Confronto
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
25
Velocità di lettura, GB/s
13.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2201
2104
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-431.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link