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Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Confronto
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB vs Kingston KF556C40-16 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF556C40-16 16GB
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Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
6.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR5
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.9
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1733
3458
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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