RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Confronto
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
35
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
35
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2239
2768
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link