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SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
70
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
1,597.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
35
Velocità di lettura, GB/s
3,731.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,597.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
625
2488
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99C5316-026.A00LF 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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