RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Confronto
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
25
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
18
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2239
3536
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link