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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
69
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
1,857.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
33
Velocità di lettura, GB/s
4,217.2
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,857.7
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
668
2286
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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