RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
69
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2286
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link