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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 69
    左右 -109% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.6 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    4,217.2 left arrow 9.6
  • 写入速度，GB/s
    1,857.7 left arrow 8.6
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2286

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较

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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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