RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno 63% latenza inferiore
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
73
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2163
1843
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link