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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Compara
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Puntuación global
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
73
En 63% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2163
1843
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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