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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
34
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
22
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3220
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
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King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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