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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
34
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
22
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
3220
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
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Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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