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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
73
Intorno -115% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
34
Velocità di lettura, GB/s
6.1
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
2319
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
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