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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
71
73
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
71
Velocità di lettura, GB/s
6.1
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
1650
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U7AFR8C
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology ADOPE1B163B2 2GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston Kingston2GB800 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-2GBSQ 2GB
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