RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
73
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
4.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
71
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
4.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1021
1650
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link