RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
92
Wokół strony -283% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2440
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link