RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Confronto
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
73
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
62
Velocità di lettura, GB/s
6.1
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1021
1586
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link