RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
35
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
32
Velocità di lettura, GB/s
14.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2974
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link