RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2974
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link