RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
12.9
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2144
2336
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link