RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
37
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
28
Velocità di lettura, GB/s
12.0
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1853
2347
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link