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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2322
3082
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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