RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Mushkin 996902 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link