RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
15.5
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
2675
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link